TP65H050WS / TP65H035WS Üçüncü Nesil (Gen III) Galyum Nitrür (GaN) Alan Etkili Transistörler (FET'ler)

Transphorm'un GaN FET'leri, elektromanyetik paraziti (EMI) azaltarak ve gürültü bağışıklığını artırarak daha sessiz geçişe sahiptir

Transphorm'un TP65H050WS ve TP65H035WS Gen III 650 V GaN FET'leridir. Düşük EMI, kapı gürültüsü bağışıklığı ve devre uygulamalarında daha büyük boşluklar üretirler. 50 m & Omega; TP65H050WS ve 35 m & Omega; TP65H035WS standart TO-247 paketlerinde mevcuttur.

Bir MOSFET ve tasarım modifikasyonları, Gen III cihazlarının, bir negatif kapı tahriki ihtiyacını ortadan kaldıran, 2,1 V'den (Gen II) 4 V'a arttırılmış bir eşik voltajı (gürültü bağışıklığı) iletmesini mümkün kılar. Kapı güvenirliği Gen II'den% 11'e ve artı 20 V'a kadar artmıştır. Bu, daha sessiz anahtarlama ile sonuçlanır ve platform, basit harici devre ile daha yüksek akım seviyelerinde performans iyileştirmesi sağlar.

Seasonic Electronics Company'nin 1600T modeli, yüksek voltajlı GaN FET'leri kullanan ve pil şarj cihazlarında (e-scooter, endüstriyel ve daha fazlası)% 99 güç faktörü düzeltme (PFC) verimliliği elde etmek için kullanılan 1600 W, köprüsüz totem-pole platformudur. ve oyun pazarları. Bu FET'lerin silikon bazlı platform 1600T ile kullanılmasının faydaları arasında% 2'lik arttırılmış verimlilik ve% 20'ye kadar daha fazla güç yoğunluğu bulunmaktadır.

1600T platformu, güçlü ve yumuşak anahtarlı devrelerde daha yüksek verim elde etmek ve güç sistemi ürünleri tasarlarken kullanıcılara seçenekler sunmak için Transphorm'un TP65H035WS'yi kullanır. TP65H035WS, tasarımları basitleştirmek için yaygın olarak kullanılan kapı sürücüleri ile eşleşir.