Ülkenizi veya bölgenizi seçin.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїнаO'zbekગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaதமிழ் மொழி

2020'de 3nm süreç geliştirmeyi tamamla, 5G döneminde Samsung'un katilleri neler?

2019, 5G teknolojisinin tüketiciler tarafından iyi bilindiği ve temas ettiği bir yıldır. Samsung bu yılın başında, ilk 5G ticari cep telefonu olan Galaxy S105G sürümünü piyasaya sundu ve bu da tüketicilere 5G ağını hissedebilecek bir terminal ürünü sağladı.

Samsung neden 5G ürünlerini bu kadar hızlı bir şekilde sunabiliyor ki, 5G teknolojisinin araştırılması, geliştirilmesi ve iyileştirilmesine yönelik çabalarla ilgili. Son zamanlarda, Samsung 5G Teknoloji Forumu'nda, 5G döneminde Samsung'un teknik bilgilerini Jiwei ile paylaştı. Samsung'un 5G’de neler geliştirdiğine bir göz atalım.

Kendi geliştirdiği 5G çip ve 3nm gelecek yıl geliyor

Eylül 2019'un başlarında, Samsung Electronics, ilk entegre 5G yongası Exynos980'i piyasaya sürdü. Yonga, bir 5G iletişim modemi, yüksek performanslı bir mobil AP (ApplicationProcessor) ile birleştirmek için 8 nm'lik bir işlem kullanıyor. Geçtiğimiz "Samsung Foundry Forum" SFF toplantısında, Samsung yeni nesil teknolojisinin ilerlemesini bir kez daha açıkladı, mikro-ağ 3nm sürecinin gelecek yıl tamamlanacağını öğrendi.

Samsung 5G Ar-Ge teknisyenlerine göre, 3nm düğümündeki Samsung, FinFET transistörlerinden GAA surround gate transistörlerine geçecek. 3nm işlem, resmen 3GAE işlemi olarak adlandırılan ilk nesil GAA transistörlerini kullanır. Yeni GAA transistör yapısına dayanarak Samsung, nanoçip cihazlarını kullanarak MBCFET (Multi-Bridge-ChannelFET) oluşturdu; bu, transistör performansını önemli ölçüde artırabilir ve FinFET transistör teknolojisinin yerini alabilir.

Ek olarak, MBCFET teknolojisi, proses geliştirme ve üretimini hızlandırmak için mevcut FinFET üretim proses teknolojileri ve ekipmanları ile uyumludur. Mevcut 7nm süreçle karşılaştırıldığında, 3nm süreç, çekirdek alanı yüzde 45, enerji tüketimini yüzde 50 ve performansı yüzde 35 azaltır. Samsung, işlem ilerlemesi açısından, bu yılın nisan ayında Hwaseong, S3Line tesisinde 7nm cips üretti. Bu yıl içerisinde 4nm süreç gelişiminin tamamlanması ve 2020'de 3nm süreç gelişiminin gerçekleşmesi bekleniyor.

Uçtan uca 5G çözümü

5G döneminde, Samsung, teknoloji ve ürünler açısından ilk kademedir. Özel avantajlar aşağıdaki noktalara yansır:

İlk olarak, patentler açısından, Samsung 5G patentleri bol miktarda; ikincisi, 3GPP çalışma grubunda Samsung’ta toplam 12 başkan veya başkan yardımcısı bulunuyor; üçüncü olarak, milimetre dalga teknolojisinin bahis ve araştırma ve geliştirilmesinde Samsung test edildi Milimetre dalga kapsama alanı görüş hattına 1km'den daha fazla bir mesafeyi kapsıyor ve görüş hattı kapsama alanı birkaç yüz metreye ulaşıyor. Aynı zamanda, kentsel yoğun alanda ve mevcut 4G baz istasyonunda da kullanılabilir.

Şu anda, Samsung üç yonga, Modem, güç yongası ve RF yongası var ve hepsi seri üretime hazır; ağ ekipmanı 5G baz istasyonu ve 5G yönlendirici (iç ve dış) içerir. Samsung'un 5G pazarındaki uçtan uca ürün hizmetleri arasında uçtan uca ağ donanımları RF çipleri, terminal çipleri, terminaller, kablosuz ağlar, çekirdek ağlar ve ağ planlama yazılımı bulunmaktadır.

Gelecekteki 5G döneminde Samsung'un yeni teknolojilerin gelmesini dört gözle beklememize hazır olduğuna inanıyorum.